可调谐高功率、放大级半导体激光器

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产品名称: 可调谐高功率、放大级半导体激光器

产品型号:

产品展商: Toptica

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简单介绍

Toptica-可调谐高功率、放大级半导体激光器： Toptica-可调谐高功率、放大级半导体激光器用于解决单模半导体激光器输出功率在许多应用场合不够的问题，具有非常好的光束质量和极其窄的线宽。高功率系统可作为主震荡功率放大器（NOPA设计）。或者作为使用专门设计的高功率半激光二极管的ECDL激光器。使用一个独立的光学放大器。就使现有的激光器转换为高功率激光系统。

可调谐高功率、放大级半导体激光器 的详细介绍

Toptica-可调谐高功率、放大级半导体激光器

高功率可调谐半导体激光器 (TA pro)

半导体激光器放大器模块 (BoosTA)

Toptica-可调谐高功率、放大级半导体激光器用于解决单模半导体激光器输出功率在许多应用场合不够的问题，具有非常好的光束质量和极其窄的线宽。高功率系统可作为主震荡功率放大器（NOPA设计）,或者作为使用专门设计的高功率半激光二极管的ECDL激光器。Toptica-可调谐高功率、放大级半导体激光器,使用一个独立的光学放大器。就使现有的激光器转换为高功率激光系统，包括：

l 锥心放大高功率半导体激光器（TA pro）

l 激光放大器（Boos TA）

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1、高功率可调谐半导体激光器 (TA pro)

TA pro是TOPTICA高功率可调谐半导体激光器的旗舰产品。其特有的锥形放大技术使得我们可以在得到光斑质量非常优异的高功率激光的同时，保持了pro种子光的卓越的光谱特性。TA pro是已经非常成熟的TA 100的全新升级。其优化了卓越的稳定性和易用性，并在TOPTICA和用户的实验室中得到了无数次的验证。

应用范围:

原子和分子光谱学，激光冷却，BEC，脉冲激光种子，光通讯，光放大器，光传感器，激光干涉，激光拉曼光谱，气体分析和检测

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技术参数：

结构

MOPA

种子光

DL pro (集成)

波长

633 .. 1265 nm*

*大功率

0.25 .. 3 W

粗调范围

15 .. 70 nm

典型无跳模范围

20 - 50 GHz

典型现款(5 μs)

0.1 .. 1 MHz

偏振

Linear > 100 : 1

ASE 背景噪声

< -40 dB

光斑质量 M²

< 1.5 (< 2.0 for some higher power chips)

发散角

< 1 mrad

光高

50 ± 1 mm

光隔离器

内部: 已含一个60 dB, 输出: 可选 30 or 60 dB

光纤耦合

可选

光纤耦合效率** min. (typ.)

50 (60) %

电路控制

SYS DC

频率调制选项

Included

幅度调制选项

Included

环境温度(运行/ 运输):

15 - 30° C / 0 - 40° C

环境湿度

无冷凝

运行电压

100 - 120 V / 220 - 240 V AC, 50 - 60 Hz (自动探测)

功耗

Typ. 120 W Max. 300 W

激光头尺寸(L x W x H)

400 x 192 x 90 mm³

电控尺寸(L x W x H)

400 x 465 x 148 mm³

2、半导体激光器放大器模块 (BoosTA)

BoosTA是一种紧凑经济的激光放大器。只需将光耦合进去，其就会以100的放大因子放大。而同时种子光的光谱特性得到了保持。BoosTA包含了电脑控制的集成电路，以及所有用于接收耦合的线偏振光的光学器件。定制的光学系统和散热系统保证了其优异的特性。

应用范围:

原子囚禁，量子计算，时域太赫兹，原子和分子光谱学，激光冷却，BEC，光通讯，光放大器，光传感器，激光干涉，激光拉曼光谱，气体分析和检测

技术参数：

结构

放大器

种子光

外置

中心波长

645 .. 1083 nm*

*大功率

0.25 .. 1.5 W

粗调范围

15 .. 70 nm

典型无跳模范围

Depends on master laser

典型线宽(5 μs)

Depends on master laser

偏振

Depends on master, typ. linear > 100 : 1

ASE背景噪声

Depends on master laser

光束质量 M²

< 1.5 (< 2.0 for some higher power chips)***

光束发散

< 1 mrad

光高

53.9 mm

光隔离器

输入: none, 输出: 可选30 or 60 dB

光纤耦合

输入: 可选****, 输出: 可选

光纤耦合效率**: min. (typ.)

50 (60)*** %

电控

集成于激光头中+外置机柜

频率调制选项

-

幅度调制模块

-

环境温度：运行/ 运输

15 - 30° C / 0 - 40° C

环境湿度

无冷凝

运行电压

100 - 120 V / 220 - 240 V AC, 50 - 60 Hz (自动探测)

功率损耗

典型. 35 W, *大. 300 W

激光头尺寸 (L x W x H)

312 x 100 x 85 mm³

电控尺寸 (L x W x H)

179 x 175 x 70 mm³

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结构	MOPA
种子光	DL pro (集成)
波长	633 .. 1265 nm*
*大功率	0.25 .. 3 W
粗调范围	15 .. 70 nm
典型无跳模范围	20 - 50 GHz
典型现款(5 μs)	0.1 .. 1 MHz
偏振	Linear > 100 : 1
ASE 背景噪声	< -40 dB
光斑质量 M²	< 1.5 (< 2.0 for some higher power chips)
发散角	< 1 mrad
光高	50 ± 1 mm
光隔离器	内部: 已含一个60 dB, 输出: 可选 30 or 60 dB
光纤耦合	可选
光纤耦合效率** min. (typ.)	50 (60) %
电路控制	SYS DC
频率调制选项	Included
幅度调制选项	Included
环境温度(运行/ 运输):	15 - 30° C / 0 - 40° C
环境湿度	无冷凝
运行电压	100 - 120 V / 220 - 240 V AC, 50 - 60 Hz (自动探测)
功耗	Typ. 120 W Max. 300 W
激光头尺寸(L x W x H)	400 x 192 x 90 mm³
电控尺寸(L x W x H)	400 x 465 x 148 mm³

结构	放大器
种子光	外置
中心波长	645 .. 1083 nm*
*大功率	0.25 .. 1.5 W
粗调范围	15 .. 70 nm
典型无跳模范围	Depends on master laser
典型线宽(5 μs)	Depends on master laser
偏振	Depends on master, typ. linear > 100 : 1
ASE背景噪声	Depends on master laser
光束质量 M²	< 1.5 (< 2.0 for some higher power chips)***
光束发散	< 1 mrad
光高	53.9 mm
光隔离器	输入: none, 输出: 可选30 or 60 dB
光纤耦合	输入: 可选****, 输出: 可选
光纤耦合效率**: min. (typ.)	50 (60)*** %
电控	集成于激光头中+外置机柜
频率调制选项	-
幅度调制模块	-
环境温度：运行/ 运输	15 - 30° C / 0 - 40° C
环境湿度	无冷凝
运行电压	100 - 120 V / 220 - 240 V AC, 50 - 60 Hz (自动探测)
功率损耗	典型. 35 W, *大. 300 W
激光头尺寸 (L x W x H)	312 x 100 x 85 mm³
电控尺寸 (L x W x H)	179 x 175 x 70 mm³